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半導(dǎo)體功率器件質(zhì)量提升強(qiáng)大專家技術(shù)團(tuán)隊

簡要描述:

廣電計量半導(dǎo)體功率器件質(zhì)量提升強(qiáng)大專家技術(shù)團(tuán)隊提升解決方案經(jīng)過在功率半導(dǎo)體器件方面數(shù)年積累,擁有先進(jìn)研究進(jìn)展,多種研究設(shè)備,為客戶提供半導(dǎo)體功率器件質(zhì)量提升服務(wù)。

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更新日期:2025-03-19

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半導(dǎo)體功率器件質(zhì)量提升強(qiáng)大專家技術(shù)團(tuán)隊
品牌廣電計量加工定制
服務(wù)區(qū)域全國服務(wù)周期常規(guī)3-5天
服務(wù)類型元器件篩選及失效分析服務(wù)資質(zhì)CMA/CNAS認(rèn)可
證書報告中英文電子/紙質(zhì)報告增值服務(wù)可加急檢測
是否可定制是否有發(fā)票

半導(dǎo)體功率器件質(zhì)量提升強(qiáng)大專家技術(shù)團(tuán)隊服務(wù)背景

功率半導(dǎo)體器件在生產(chǎn)和使用過程中往往受到各種應(yīng)力和環(huán)境因素的影響,達(dá)不到預(yù)期的壽命或功能,即發(fā)生失效現(xiàn)象。失效分析是一門新興發(fā)展中的學(xué)科,在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開發(fā)、改進(jìn),產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實際意義。


半導(dǎo)體功率器件質(zhì)量提升強(qiáng)大專家技術(shù)團(tuán)隊服務(wù)內(nèi)容

一、半導(dǎo)體功率器件失效分析流程

1、失效信息背景調(diào)查,充分了解器件失效現(xiàn)象(不工作/導(dǎo)致上下端工作異常)、失效比例(偶然/集中一批)、使用環(huán)境(戶外/海邊/高海拔等)、失效發(fā)生階段(新產(chǎn)品/成熟產(chǎn)品)、工藝材料變更信息,這些都會有助于快速鎖定問題根源。

2、制定失效分析方案,根據(jù)提供背景信息結(jié)合技術(shù)經(jīng)驗,制定有針對性的分析方案可以降低失效分析成本,加快失效分析進(jìn)度,提高失效分析成功率。同時對各種可能的原因準(zhǔn)備相應(yīng)的處理措施。(制定的方案不會是一成不變的,實際分析項目會根據(jù)新發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象和分析結(jié)果及時調(diào)整)

3、通過各種非破壞、半破壞、破壞性試驗確定失效位置,這里需要高超的制樣技巧和設(shè)備精度,目的是限度地防止把被分析器件的真正失效因素、跡象丟失或引入新的失效因素,以期得到客觀的分析結(jié)論。

4、根據(jù)失效位置形貌、元素成份、物理結(jié)構(gòu),結(jié)合失效背景、技術(shù)經(jīng)驗,推斷導(dǎo)致失效可能原因,并逐個排查最終找到失效根因形成邏輯閉環(huán)。

5、預(yù)防與改進(jìn)措施建議,客戶往往忽略這一點,根據(jù)失效原因進(jìn)行重現(xiàn)及提出改進(jìn)措施(更優(yōu)原材料、優(yōu)化工藝參數(shù)、器件結(jié)構(gòu)改進(jìn)、更合理的測試方法及條件、更嚴(yán)格的質(zhì)量監(jiān)控等)最終關(guān)閉此問題點。


二、功率半導(dǎo)體器件失效分析常見測試內(nèi)容

1、電學(xué)性能:IFUR、IR,VSD、IDSSBVDSS、IGSSVGSTH)、RDSON)、VDSON),RG、CIESCOES,TdON)、Tr、TdOFF)、Tf、EON、EOFFTrr、Qrr、Irrm、QGRthj-c)等靜態(tài)、動態(tài)參數(shù)

2、塑封料:注塑工藝評價、缺陷查找、膠水基材種類、有無污染物、氣泡,氣密性評估、膠水耐熱性、ESD元素分析、FTIR紅外光譜分析

3、粘結(jié)料涂覆及固晶制程:粘結(jié)料涂覆工藝評價、缺陷查找、成份分析、空洞率、厚度,固晶工藝評價、頂針痕、吸嘴印、芯片平整度、污染物檢測、鈍化層損傷

4、芯片:工藝觀察、清潔度檢查、耐壓環(huán)及元胞微觀結(jié)構(gòu)測量、缺陷定位、缺陷暴露、抗靜電能力檢測

5、引線鍵合:工藝評價、一焊和二焊形貌觀測、鍵合接觸面微觀形貌觀測、鍵合IMC健康檢測、弧形弧高測量、鍵合線直徑測量、成份鑒定、PAD成份結(jié)構(gòu)觀測

6、引線框架:引線框架(含DBC等各種材質(zhì))涂鍍層厚度測量、成份檢測、工藝評價、缺陷查找、變色變粗糙等老化原因分析。


我們的優(yōu)勢

廣電計量經(jīng)過在功率半導(dǎo)體器件方面數(shù)年積累,形成了博士7人、碩士13人的專業(yè)人才團(tuán)隊,各方面研究方向同步業(yè)內(nèi)研究進(jìn)展,多套設(shè)備(靜態(tài)/動態(tài)參數(shù)測試:B1505AB1506A、SW8200A等,物理分析:T3Ster、DB FIBFE SEM、InGaAsORBICH、Thermal Emmi等)。可以從材料角度、工藝制程角度、使用存儲環(huán)境角度查找缺陷,定位失效點,從而找出失效的原因,并針對失效原因提出可行的改善建議。通過承接大量客戶新產(chǎn)品驗證、AEC-Q車規(guī)認(rèn)證等各種可靠性試驗后器件失效案例分析,積累了豐富的各種應(yīng)力導(dǎo)致的失效模式、失效機(jī)理數(shù)據(jù)庫材料,同時積累了豐富的器件結(jié)構(gòu)經(jīng)驗、熟練的制樣經(jīng)驗,可以快速準(zhǔn)確為您判定失效根因。



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